KATTA DOZALI ION IMPLANTATSIYASI TA’SIRIDA Si(111) SIRT VA HAJM PLAZMA TEBRANISHLARINING NAZARIY TAHLILI
Keywords:
Past energiyali ion implantatsiyasi,, valent elektronlarning sirt va hajm plazma tebranishlari qo‘zg‘alish energiyasi, sirtning amorflanishi, elektronlarning plazma tebranishlarining so‘nishi, dielektrik singdiruvchanlik, elektron gazining ikki suyuqlikli modeliAbstract
Ushbu maqolada Ba hamda ishqoriy element ionlarining katta dozali (D >1016 sm-2)
implantatsiyasi jarayonida Si(111) valent elektronlarining sirt va hajm plazma tebranishlari qo‘zg‘alish
energiyasining kamayishi bo‘yicha tajriba yo‘li bilan aniqlangan effektning nazariy talqini keltirilgan.
Elektron gazining ikki suyuqlikli modeliga asoslangan holda, Si(111) plazmon energiyasining pasayishi
Si(111) kristall tuzilishining to‘liq amorflanishigacha bo‘lgan tartibsizlanishi natijasida valent elektronlar
tebranishlarining kuchli so‘nishi bilan izohlanadi.
Downloads
Published
2026-10-12
Issue
Section
Статьи
