MAGNETRON CHANGITISH USULIDA OLINGAN MoO₃ YUPQA PARDALARINING ATOM TARKIBI VA ZARYAD HOLATLARINI RENTGEN FOTOELEKTRON SPEKTROSKOPIYASI YORDAMIDA TADQIQ ETISH
Ключевые слова:
molibden oksidi, RFES, stexiometriya, zaryad holati, injeksiya kontakti, organik elektronikaАннотация
Ushbu ishda kremniy taglik ustida magnetron changitish usulida shakllantirilgan
molibden oksidi MoO₃ yupqa pardalarining atom tarkibi va molibden atomlarining zaryad holati rentgen
fotoelektron spektroskopiyasi (RFES) usuli bilan oʻrganildi. Mo3d₅/₂ choʻqqisining bogʻlanish energiyasi
233,8 eV ekanligi koʻrsatildi, bu Mo⁶⁺ oksidlanish darajasiga mos keladi; 233,2 eV da Mo⁵⁺ komponenti
aniqlandi. O1s darajasining dekonvolyutsiyasi panjara (531,3 eV) va adsorbsion (532,3 eV) kislorodni
ajratdi. 10 nm qalinlikdagi pardalar uchun O:Mo nisbati 2,6 ni, Mo⁵⁺ ulushi esa 6–8 % ni tashkil etdi;
qalinlik ortishi bilan nisbat deyarli oʻzgarmadi, Mo⁵⁺ ulushi esa 1–2 % gacha kamaydi. Ar⁺ ionlari bilan
tozalashdan keyin O:Mo nisbati 2,9 gacha oshdi. Namunalarni tashishda vakuum mini-kamera qoʻllanilishi
adsorbsion uglerod konsentratsiyasini kamaytirdi. Olingan natijalar organik elektronikaning kovak injeksiya
qiluvchi kontaktlari sifatida foydalanishga yaroqli stexiometrik MoO₃ pardalari shakllanishini tasdiqlaydi.
