NI/SIO₂/n-SI<P> METALL-OKSID-YARIMO‘TKAZGICH STRUKTURALARINI SHAKLLANTIRISH TEXNOLOGIYASI VA UNING EKSPERIMENTAL-FIZIK ASOSLARI
Ключевые слова:
Metall-oksid-yarimo‘tkazgich struktura, Ni/SiO₂/Si, ko‘p bosqichli kimyoviy tozalash, NAOS oksidlash, DC magnetron changlatish, spektroskopik ellipsometriya, SEM, Shottki to‘sig‘i, VAXАннотация
Ushbu maqolada Ni/SiO₂/n-Si<P> metall-oksid-yarimo‘tkazgich (MOY) strukturalarini
shakllantirishning to‘liq texnologik jarayoni va uning eksperimental-fizik asoslari bayon etilgan. Kremniy
taglik yuzasi ko‘p bosqichli kimyoviy tozalashdan (erituvchida tozalash, RCA-1 va HF botirish) o‘tkazilgach,
tunnel-shaffof SiO₂ dielektrik qatlami azot kislotasida oksidlash (NAOS) usulida hosil qilingan, so‘ngra
oksidlangan yuzaga Ni qatlami DC magnetron changlatish usulida, orqa tomondagi kontakt maydonchasiga
esa Al termik bug’latish usulida cho‘ktirilgan. Hosil bo‘lgan qatlamli tuzilma spektroskopik ellipsometriya
(SiO₂ qalinligi – 3,74 nm, Cauchy modeli) va skanerlovchi elektron mikroskopiya (SEM, 125 000×
kattalashtirish) yordamida tasdiqlangan, tuzilmaning yarimo‘tkazgichlik xossasi esa voltamper
xarakteristikasi (VAX) asosida aniqlangan Shottki to‘siq balandligi (φB = 0,388–0,417 eV, [110] yo‘nalish)
bilan isbotlangan. Olingan natijalar tavsiflangan texnologik jarayonning takrorlanuvchan va fizik jihatdan
asoslanganligini ko‘rsatadi.
