ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛЯРНОЙ АСИММЕТРИИ НА ПОВЕРХНОСТИ N⁺-SI:SB(100) ПОСЛЕ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ HF И ЕЁ ПРОЯВЛЕНИЕ В ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ
Keywords:
n⁺-Si:Sb(100), очистка HF, естественный, вольт-амперная характеристика, дифференциальное сопротивление, полярная асимметрия, инжекция зарядаAbstract
В работе проведено сравнение вольт-амперных характеристик поверхности
монокристаллического кремния n⁺-Si:Sb(100), сильно легированного сурьмой, с естественным
оксидным слоем и после химической очистки HF. Подтверждённая технологическая
последовательность включала промывку деионизированной (DI) водой, обработку в растворе HF в
течение 2 минут и последующую промывку DI-водой. Измерения В–А характеристик выполнены на
приборе Keithley 2400-C в диапазоне −4…+4 В при линейной развёртке из 500 точек. Для образца B2
с естественным оксидным слоем получены значения I(−4 В)=−16,450 мА, I(+4 В)=+14,451 мА и
коэффициент полярной асимметрии Kas=0,879. Для образца B4 после обработки HF
соответствующие токи составили −5,597 и +19,179 мА, а Kas=3,426. Обработка HF уменьшила
модуль тока при отрицательном смещении на 66,0%, увеличила ток при положительном смещении
на 32,7%, и повысила дифференциальное сопротивление в области малых полей с 0,96 до 4,69 кОм.
Результаты показывают, что влияние HF необходимо интерпретировать не в рамках простой
модели «увеличения тока», а с учётом перестройки энергетики поверхностного слоя границы
раздела и зависящей от поля полярно-селективной инжекции.
